1樓:匿名使用者
氮化矽來一般可用作鈍化塗層,中介絕緣層源、光學器件的介電塗層,有時可用作柵介質層,一般的等離子體澱積氮化矽方法是用不同組分的sih_4/nh_3 /n_2和惰性氣體載體澱積而成,但薄膜裡含有高達30%(at.)的氫。從而在柵氧化層附近形成缺陷而引起mos器件的不穩定。
許多研究者認為這是由於 氮化物裡的si-h鍵所引起的麻煩,因此必須努力減氫濃度,或者設法避免si-h鍵的有害影響。
2樓:匿名使用者
si3n4中沒有si-h鍵
si-h鍵與si-o鍵鍵能如何比較
3樓:瑞秋格陵
就看看這兩種鍵對應物質的穩定性大小了,乙個矽化氫,乙個二氧化矽,矽化氫很不穩定,在空氣裡會自燃生成二氧化矽和水,這是由不穩定向穩定轉化,物質越穩定鍵能越大
si-h和si-cl哪個更穩定?
4樓:匿名使用者
si-h和si-cl的鍵能分別是:318kj/mol和381kj/mol,所以si-cl更穩定。
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