加反向電壓時,(沒擊穿的時候),反向載流子是如何越過PN結的

2021-04-18 19:45:25 字數 479 閱讀 1907

1樓:路西法

耗盡層就是在pn結附近,其中的載流子因擴散而耗盡,只留下不能移動的正負離版子的區域權,又稱空間電荷區。在 p 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下,空穴是可以移動的,而電離雜質(離子)是固定不動的 。

n 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。當p型和n型半導體接觸時,在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散,電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而復合,載流子消失。

因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子,卻有分布在空間的帶電的固定離子,稱為空間電荷區 。p 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ,n 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場,這電場阻止載流子進一步擴散 ,達到平衡。

當pn結外加反向電壓時,內外電場的方向相同,在外電場的作用下,載流子背離pn結運動,結果使空間電荷區變寬,,耗盡層會(變寬)變大。pn結外加正向電壓時,擴散電流大於漂移電流,耗盡層將變窄。

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