1樓：駿馳飛車族
此復位電路中的電容器在上電的一瞬間會在其兩端有乙個電壓差。此時的電容器可以看做乙個阻值較小的電阻。這樣一來，就變成了乙個典型的電阻分壓電路。
其在微控制器的復位端就會產生乙個高電平的復位電壓。
當電容器經過10k電阻慢慢充電後，其兩端電壓差慢慢變小。此時的電容器就可以看做是乙個阻值比較大的電阻了。這時，微控制器復位端的電壓慢慢降至接近0v。此時，復位電路工作完成。
2樓：
「但是電容不是阻隔直流的麼」
你是否系統地學習過電路理論？電容值c的含義你是否理解？
你以為電容能擋盡一切直流不成？
3樓：匿名使用者
剛剛上電的時候，電容上沒有電荷，所以電容兩端沒有電壓差，所以電容兩端的電勢一樣
電容正端連線+5v電源，所以電容負端對地電壓為+5v，電阻連段電壓為+5v，復位端呈高電平狀態。
因為電阻兩端有電壓差，所以會形成電流，隨著電流的流入，電容慢慢開始充電，兩端的電壓差逐漸增加，當電容兩端電壓差公升到一定程度，復位引腳突破低電平門限，復位解除
4樓：匿名使用者
就想你的手是空的，然後突然放上一件恆定重量的物體，你的手就會出現佔時不能穩定在那個高度然後就能穩定在那個高度了，要有平衡個過程，當突然加點重量和撤銷點重量你的手肯定是不會穩定的
微控制器復位電路（高低電平復位分別）
5樓：柔情西瓜啊
當微控制器上電瞬間由於電容電壓不能突變會使電容兩邊的電位相同，此時rst為低電平，之後隨著時間推移電源通過電阻對電容充電，充滿電時rst為高電平。正常工作為高電平，低電平復位。
當微控制器上電瞬間由於電容電壓不能突變會使電容兩邊的電位相同，此時rst為高電平，之後隨著時間推移電源負極通過電阻對電容放電，放完電時rst為低電平。正常工作為低電平，高電平復位。
微控制器的復位引腳rst(全稱reset)出現2個機器週期以上的高電平時，微控制器就執行復位操作。如果rst持續為高電平，微控制器就處於迴圈復位狀態。當微控制器處於低電平時就掃瞄程式儲存器執行程式。
擴充套件資料
基本結構
1、運算器
運算器由運算部件——算術邏輯單元（arithmetic & logical unit，簡稱alu）、累加器和暫存器等幾部分組成。alu的作用是把傳來的資料進行算術或邏輯運算，輸入**為兩個8位資料，分別來自累加器和資料暫存器。
2、alu能完成對這兩個資料進行加、減、與、或、比較大小等操作，最後將結果存入累加器。例如，兩個數6和7相加，在相加之前，運算元6放在累加器中，7放在資料暫存器中，當執行加法指令時，alu即把兩個數相加並把結果13存入累加器，取代累加器原來的內容6。
3、運算器有兩個功能：
（1）執行各種算術運算。
（2）執行各種邏輯運算，並進行邏輯測試，如零值測試或兩個值的比較。
（3）運算器所執行全部操作都是由控制器發出的控制訊號來指揮的，並且，乙個算術操作產生乙個運算結果，乙個邏輯操作產生乙個判決。
4、控制器
控制器由程式計數器、指令暫存器、指令解碼器、時序發生器和操作控制器等組成，是發布命令的「決策機構」，即協調和指揮整個微機系統的操作。其主要功能有：
(1) 從記憶體中取出一條指令，並指出下一條指令在記憶體中的位置。
(2) 對指令進行解碼和測試，並產生相應的操作控制訊號，以便於執行規定的動作。
(3) 指揮並控制cpu、記憶體和輸入輸出裝置之間資料流動的方向。
5、主要暫存器
（1）累加器a
累加器a是微處理器中使用最頻繁的暫存器。在算術和邏輯運算時它有雙功能：運算前，用於儲存乙個運算元；運算後，用於儲存所得的和、差或邏輯運算結果。
（2）資料暫存器dr
資料暫存器通過資料匯流排向儲存器和輸入/輸出裝置送（寫）或取（讀）資料的暫存單元。它可以儲存一條正在解碼的指令，也可以儲存正在送往儲存器中儲存的乙個資料位元組等等。
（3）程式計數器pc
pc用於確定下一條指令的位址，以保證程式能夠連續地執行下去，因此通常又被稱為指令位址計數器。在程式開始執行前必須將程式的第一條指令的記憶體單元位址（即程式的首位址）送入pc，使它總是指向下一條要執行指令的位址。
（4）位址暫存器ar
位址暫存器用於儲存當前cpu所要訪問的記憶體單元或i/o裝置的位址。由於記憶體與cpu之間存在著速度上的差異，所以必須使用位址暫存器來保持位址資訊，直到記憶體讀/寫操作完成為止。
硬體特性
晶元1、主流微控制器包括cpu、4kb容量的ram、128 kb容量的rom、 2個16位定時/計數器、4個8位並行口、全雙工串列埠行口、adc/dac、spi、i2c、isp、iap。
2、系統結構簡單，使用方便，實現模組化。
3、微控制器可靠性高，可工作到10^6 ~10^7小時無故障。
4、處理功能強，速度快。
5、低電壓，低功耗，便於生產可攜式產品。
6、控制功能強。
7、環境適應能力強。
6樓：匿名使用者
圖1應該是低電平復位，圖2是高電平復位
7樓：匿名使用者
圖1是低電平 判斷電容的阻抗遠小於電阻的阻抗，電容分得的電壓很小（低於1.8v）因此是低電平。
圖2是高電平 判斷電容的阻抗遠小於電阻的阻抗，電阻分得的電壓很大（高於1.8v）因此是高電平。
8樓：做而論道
51微控制器要求的是：高電平復位。
圖2是51微控制器的復位電路。
圖2電路，在上電的瞬間，電容器充電，充電電流在電阻上形成的電壓為高電平（可按照歐姆定律來分析）；
幾個毫秒之後，電容器充滿，電流為0，電阻上的電壓也就為低電平了，這時，51微控制器將進入正常工作狀態。
圖1是用來產生低電平復位訊號的。
9樓：衝鋒陷陣
微控制器的復位引腳rst(全稱reset)出現2個機器週期以上的高電平時，微控制器就執行復位操作。如果rst持續為高電平，微控制器就處於迴圈復位狀態。當微控制器處於低電平時就掃瞄程式儲存器執行程式。
圖一：當微控制器上電瞬間由於電容電壓不能突變會使電容兩邊的電位相同，此時rst為低電平，之後隨著時間推移電源通過電阻對電容充電，充滿電時rst為高電平。正常工作為高電平，低電平復位。
圖二：當微控制器上電瞬間由於電容電壓不能突變會使電容兩邊的電位相同，此時rst為高電平，之後隨著時間推移電源負極通過電阻對電容放電，放完電時rst為低電平。正常工作為低電平，高電平復位。
10樓：匿名使用者
圖一是低電平復位。
微控制器採用高/低電平復位，在晶元製造時就已經決定，具體復位方式要參照晶元規格書。通常同一系列的晶元其復位方式相同。
電容和電阻上電瞬間可這樣理解，上電前電容上沒有儲存電荷，上電瞬間電容上電壓為零，相當於短路，電源電壓全部加在電阻上。隨後電容充電電壓逐漸公升高，最後公升至電源電壓，完成復位。因此電容接電源負則為低電平復位，接電源正則為高電平復位。
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