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1樓：匿名使用者
在下面，帶隙結構的各種重要和原型半導體進行了討論。樂隊低於基本能隙稱為價帶。樂隊在它上面，導帶。
的能帶是能量最高的價帶之間的分離狀態和最低導帶狀態。最大的是對於大多數半導體價帶在t點。
1.矽對於矽，乙個元素半導體(圖3 2)最低的導帶位於選擇x點在 / a)在< 100 >方向。因此，它不是在同一點在k空間為價帶的頂部。
這樣乙個帶結構被稱為間接。因為有六< 100 >方向的等效，有六個等效傳導帶的最小值。
2.砷化鎵。
砷化鎵(圖3 3)是一種複合半導體帶隙直接從頂部的價帶和導帶的底部都處於同一位置在k空間(在t點)。接下來的最高(當地)最低的導帶是接近l點。
望及時採納。
2樓：網友
接下來討論多種典型而重要的半導體能帶結構。在帶隙下的能帶，叫做價帶；在上邊的叫做導帶。帶隙是價帶的最高處與導帶的最低處之間的能量差。對大多數半導體來說，其價帶在t點達到最寬。
我就給你翻譯一段吧，下面兩段跟固體物理學中的布拉格晶格有關了。
學微電子的話要先吧英語學好。
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3樓：網友
單詞：poly 多。
metal 金屬。
thin oxide 薄氧化物。
pwell channel pwell(p阱)溝道nepi drain n source nepi漏極n源極句子：
圖 乙個雙擴散domos電晶體的製備，先通過多晶矽裡的乙個洞在n型epi裡擴散出乙個p阱。第二次n型擴散形成了源極。漏極就是原來的epi，而p阱形成了溝道。
溝道長度取決於p阱和n型源極的橫向擴散。epi做成了漏極接觸。多個這樣的器件排成陣列可以做成高效的電力電晶體。
齊納二極體。
pn結操作於擊穿狀態用來作電壓參照或削波和箝位電路。 擊穿電壓隨結的較輕摻雜一側的摻雜濃度平方根變化，如方程所描述。要想讓齊納管被擊穿時不損壞，至關重要的是電流必須分佈在結的整個截面積上。
摻雜和電場的不均勻性導致擊穿首先在摻雜濃度最高或電場最大的地方。如圖所示，深層iso齊納管有乙個光滑截面積及均勻分佈的摻雜物。與圖的表面淺n淺p型齊納管相比電流分佈於更大的面積，後者的摻雜濃度隨離表面的距離變化而且在其尖角處有大電場。
這些齊納管會被大電流燒壞。損壞處就是靠近表面的尖角處。如果電流由外部電路限制使得結內能量耗散保持在安全範圍以內，結就不會燒壞。
操作於反向擊穿狀態下的pn結叫齊納二極體，用作電壓參照或保護敏感元件的削波和箝位電路。
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當你要在條紋和格仔之間做出決定時，要記住你自己獨特的身材，最好想想 背道而馳 這裡應該指的是選擇款式與自己的體型相反 比如，體型高的女性也許想避免穿條紋的衣服，因為穿條紋的衣服會突出她的高度 體型胖的女性應該避免穿帶有過於寬大圖案的衣服，因為這麼穿會顯得臃腫。相反，體型小的女性就應該考慮穿圖案醒目的...
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1 一 簡要解釋之間的差異優勢，螺旋，和混合位錯而言，相對方向線和伯格斯向量。二 為每個邊緣，螺旋，和混合位錯，引用之間的關係，漢堡載體和方向運動。2根據我們的教科書所學，舉不少於四技術加強和硬化鋁合金在航空？3簡要描述型別的短路擴散及其貢獻給整體擴散通量。4 一 每邊，螺旋，和混合位錯，引用之間的...