1樓：ysa教育培訓小助手
p型半導體帶正負電，即成電中性。
由於p型半導體。
中正電荷量。
與負電荷量相等，故p型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子。
由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電效能就越強。
在p型半導體中，參與導電的 (即電荷載體) 主要是帶正電的空穴，這些空穴來自半導體中的受主。因此凡摻有受主雜質或受主數量多於施主的半導體都是p型半導體。例如，含有適量三價元素硼、銦、鎵等的鍺或矽等半導體就是p型半導體。
空穴型半導體又稱p型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。在純矽中摻入微量3價元素銦或鋁，由於銦或鋁原子周圍有3個價電子。
與周圍4價。
矽原子組成共價結合時缺少乙個電子，形成乙個空穴。空穴相當於帶正電的粒子，在這類半導體的導電中起主要作用。
以上內容參考 百科-p型半導體。
2樓：小小汽車顧問
這種說法是錯的。
不論是p型還是n型半導體，它們本身是不帶電的，也就是保持電中性。區別只是載流子的濃度不同，p型中的空穴濃度大於自由電子濃度，n型自由電子濃度遠大於空穴濃度。
p」表示正電的意思，取自英文positive的第乙個字母。
在這類半導體中，參與導電的 (即電荷載體) 主要是帶正電的空穴，這些空穴來自半導體中的受主。因此凡摻有受主雜質或受主。
半導體指常溫下導電效能介於導體與絕緣體之間的材料。
半導體在積體電路、消費電子、通訊系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極體就是採用半導體制作的器件。
無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產品，如計算機、移動**或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關聯。
常見的半導體材料有矽、鍺、砷化鎵等，矽是各種半導體材料應用中最具有影響力的一種。
n型半導體本身是帶負電,還是電中性的?為什麼?
3樓：網友
半導體內還有不可移動的電荷，比如帶正電的原子核，這樣就能與n型半導體的多數載流子是電子平衡，維持電中性條件了；在雜質半導體中， 正負電荷數是相等的，它們的作用相互抵消，因此保持電中性。
半導體是中性物。在激發態才是p型半導體，也叫空穴半導體，在矽中摻雜了3價的鋁元素，與周圍矽4價形成共價結合，缺乙個電子，形成空穴。這樣是相當於帶正電的粒子。
n型半導體，也叫電子半導體，在矽中摻雜5價磷，和矽4價，結合共價後，多乙個自由電子。當pn結組合形成二極體結構，就利用pn結的特性。
半導體中為什麼n型導電p型導電？
4樓：我愛學習
一、n型半導體。
n型半導體也稱為電子型半導體，即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。
形成原理。摻雜和缺陷均可造成導帶中電子濃度的增高。 對於鍺、矽類半導體材料，摻雜ⅴ族元素，當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、矽原子時，可提供除滿足共價鍵配位以外的乙個多餘電子，這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加。
二、p型半導體。
p型半導體一般指空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。
形成。在純淨的矽晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中矽原子的位置，就形成p型半導體。在p型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。
由於p型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故p型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。
能否說p型半導體帶正電n型半導體帶負電
5樓：康康情感大師
能否說p型半導體帶正電n型半導體帶負電這種說法不對。
p型半導體只是在共價鍵中失去電子的空穴多，並不帶正電荷，n型半導體只是有較多不受共價鍵束縛的電子，並不帶負電荷。
不含雜質的半導體稱為本徵半導體。半導體矽和鍺的最外層電子有四個，故而稱它為四價元素，每乙個外層電子稱為價電子。為了處於穩定狀態，單晶矽和單晶鍺中的每個原子的四個價電子都要和相鄰原子的價電子配對，形成所謂的共價鍵。
但是共價鍵中的電子並不像絕緣體中的電子結合的那樣緊，由於能量激發（如光照、溫度變化），一些電子就能掙脫原有的束縛而成為自由電子。與此同時，某處共價鍵中失去乙個電子，相應地就留下乙個空位，稱為空穴。自由電子和空穴總是成對出現的。
半導體的導電原理：
如果在本徵半導體兩端加以電壓，則會有兩種數量相等的運載電荷的粒子（稱作載流子）產生電流。一種是由自由電子向正極移動，形成的電子電流；另一種是空穴向負極移動形成的空穴電流。
空穴電流的形成好像電影場中，前排座位空著，由後排人逐個往前填補人，人向前運動，空位向後運動一樣。因此，在半導體中同時存在著電子導電和空穴導電，但由於這兩種載流子數量很少，所以本徵半導體導電能力遠不如金屬中的自由電子。<>
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知乎有沒有關於半導體禁帶與摻雜關係
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