第三代半導體SIC行業投資機會分析 10年20倍成長

國內生產sic半導體的公司

1樓：

摘要。<>

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國內生產sic半導體的公司。

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親，sic（碳化矽）是一種由si（矽）和c（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是si的10倍，帶隙是si的3倍，而且在器件製作時可以在較氏漏寬範圍內控制必要的p型舉核畝、n型，所以被認為是一種超越si極限的功率器件材料。sic中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。

用於功率器件製作，4h-sic最為合適正森。

三代半導體子資本市場表現

2樓：少腿刮辭

三代半導體子資本市場表現如下。

近年，「第三代半導體」在多個領域嶄露頭角，以sic（碳化矽）、gan（氮化鎵）為主的第三代化合物半導體已然成為產業端、投資界及各地**的寵兒，這得益於其自身優秀的物理特性及產業端的快速拉動。

本期將圍繞第三代半導體材料的優異特性、市場前景、應用領域、行業現狀，一起揭開「第三代半導體」的神秘面紗，共探投資機遇。

摘要：「風潮湧動」第三代半導體投資的勢與機。

投資機遇。多個下游產業集中爆發，40-50%的應用市場將在中國，下游的爆發導致上游晶圓供不應求；效能及成本即將達到產業化甜蜜點，產品進入高速匯入期；

不同於傳統矽基ic的晶圓碧激大及晶元製造，第三代半導體材料及器件生產投資週期短，投資金額小，對高階裝置依賴相對較弱，固定資產投資不大，更依賴於工藝和人，適合vc投資；

國內起步較晚，國家「十四五」政策大力支援，自主可控需求明確；國產替代空間巨大，尚未形成行業寡頭。

看好的方向。

6-8寸襯底悔豎、外延附鉛碼加值高，佔器件成本75%以上，工藝難度大，掌握核心技術的人才稀缺；

存在巨大的市場機會，國內企業處於同一起跑線，寡頭格局並未形成。