1樓:科幻老怪
電容復量是表達能產生能量大製小的一種引數,而微觀bai電子du受萬有引力作用,同巨集觀zhi萬有引力dao定律同出一轍。即電容兩端正負電荷中的電子,受對方影響產生的電容量,與對方對電子產生的萬有引力作用,成距離平方倒數關係。至於容易擊穿,就因為距離越小萬有引力越大,致使電容量越大,才越容易擊穿。
而容易擊穿,則正說明距離越小電容量越大。所以超級電容的瓶頸,其中乙個就是距離和擊穿的矛盾。
2樓:終級成城
電容擊穿指的是電壓超過了電容的額定電壓,是由電場強度過大造成的,與電容的容量無關。
電容只能由定義式c=s/4πkd決定。
3樓:匿名使用者
這是實驗得出的結果,沒有為什麼。
4樓:李風楓
根據電容決定式c=介電常數*s/4*圓周率*kd
電容器的電容越大,它對於高頻交流電的阻礙程度是越大還是越小,為什麼
5樓:anyway中國
是越小,電
容器copy對交流電的阻礙作用,用容抗表示為xc=1/2πfcf為交流電頻率,c為電容容量。
相同頻率f時,電容c越大,容抗xc越小,對交流電的阻礙程度越小。
不妨這樣理解:
電容容量越大,充電的速度越慢,越難充滿,相同電源電壓時,電容電壓越低,電壓差越大,充電電流越大,電源不變,電流越大,就是阻礙作用越小。
平行板電容器的電容為C,充電後兩板間電壓為18V,然後切
由電容的決定式c s 4 kd 電容的定義式c q u 場強與電勢差關係的公式e ud得 e 4 kq s可知,e與d無關,專 所以電容器極屬板間減小時,板間場強不變 由u ed得知,此時兩極板間的電壓將為原來的1 3,為 u 1 3u 1 3 18v 6v 由電容的決定式c s 4 kd 得知,電...
為什麼電容器電容越大 反而對低頻電流容抗越小
看來你不理解的是電容器的儲電原理,和電容通交流的原理。但你提的問題不直觀。電流的大小是巨集觀的。你要知道你問的是啥你就不會這樣問了。微觀的原理可以看看電場方面的書。簡單的說,電容是乙個可以儲電的容器。好了可以打個比方 你的呼吸頻率是交流電的頻率,一進一出,交流電一充一放 你的肺活量是電容器的容量,可以...
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