1樓：匿名使用者
mos管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態。由於mos管是電壓控制項，所
內以主要由柵源電壓ugs決定其工作容狀態。
mos管在導通與截止兩種狀態發生轉換時同樣存在過渡過程，但其動態特性主要取決於與電路有關的雜散電容充、放電所需的時間，而管子本身導通和截止時電荷積累和消散的時間是很小的。
2樓：匿名使用者
mos管也是copy三端壓控元件，三端分別是g、d、s，可以等效於普通三極體的b、c、e三極，vgs的電壓（=vg-vs）控制mos 開關狀態:
當vgs大於von（開啟電壓，nmos為2~4v，pmos為-2~-4v）時就使得mos開啟，d& s兩極之間導通，壓降為零，阻抗較小，零點幾歐姆；
同理當vgs小於von時就使得mos處於關閉狀態，d& s兩極之間阻抗很大；
所以，g極就是控制極；
要注意的是，vgs不能太高，比如irf530，von的最大值為4v，可是擊穿電壓為正負20v；又比如irf9530，開啟電壓為最大-4v，也就是說vgs=-5v時已經開啟，開啟電壓上限也為正負20v，當vgs=-21v或者22v時，管子會被擊穿。通常使用時，可以使所加電壓vgs=正負9伏比較適合。
3樓：匿名使用者
根據g電壓大小調整 d s 導通強弱
4樓：房峰睦思松
1這個電路採用是抄nmos管，如果cop是高組襲態，那bai麼為du什麼a點處是高電平，那zhi個rcop上拉電阻如果達到1m，那麼daoa處還是高電平嗎?
答:正是由於rcop所以cop是高組態時處是高電平。即便rcop阻值高達10ma處還會是高電平，只是阻值太高容易引入干擾，所以取幾k的阻值就好。
2圖中標識的放電用fet，我大概分析下是:nmos管的柵極b如果是低電平，那麼放電用mos管應該是導通的，此時電流流向是d流向s的，這個分析對嗎?答:
應該dob是高電平時放電fet導通。
5樓：諸葛晶瀅雷錦
■mos管開關電路中要用到mos場效電晶體來代替開關，場效電晶體有三個極：源極s、漏
內極d和柵極（或叫容控制極）g.
工作原理是：在給源極和漏極
之間加上正確極性和大小的電壓（因為管型而異）後，再給g極和源極之間加上控制電壓，就會有相應大小的電流從源極流向漏極
，如果訊號電壓夠大，這個電路就能瞬間飽和而成為乙個開關了。
請教，mos管如何設計開關電路？ 5
6樓：匿名使用者
mos管有用的管腳就是三個：源極、漏極、柵極。多餘的管腳或者是同名管腳（在內部和漏極、柵極相連，特別是有些大功率管），或者是空腳（沒有內部連線，只起焊接固定作用）。
請教：mos管做開關電路
7樓：匿名使用者
你電路的問題很明顯，要了解原理，請參考以下電路：
帶軟開啟功能的mos管電源開關電路
這是很通用和成熟的電路，原理講解參考自《帶軟開啟功能的mos管電源開關電路》。
8樓：匿名使用者
電路錯了，pmos你還d入s出？也就是說，s和d反了，調過來就對了。這個電路很常用，類似於pnp型三極體，對p三極體來說，e接電源入，c接控制輸出，同理如上。
9樓：蘇羽城傾
mos管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態。由於mos管是電壓控制項，所以主要由柵源電壓ugs決定其工作狀態。
mos管在導通與截止兩種狀態發生轉換時同樣存在過渡過程，但其動態特性主要取決於與電路有關的雜散電容充、放電所需的時間，而管子本身導通和截止時電荷積累和消散的時間是很小的。
mos管也是三端壓控元件，三端分別是g、d、s，可以等效於普通三極體的b、c、e三極，vgs的電壓（=vg-vs）控制mos 開關狀態:
當vgs大於von（開啟電壓，nmos為2~4v，pmos為-2~-4v）時就使得mos開啟，d& s兩極之間導通，壓降為零，阻抗較小，零點幾歐姆；
同理當vgs小於von時就使得mos處於關閉狀態，d& s兩極之間阻抗很大；
所以，g極就是控制極；
要注意的是，vgs不能太高，比如irf530，von的最大值為4v，可是擊穿電壓為正負20v；又比如irf9530，開啟電壓為最大-4v，也就是說vgs=-5v時已經開啟，開啟電壓上限也為正負20v，當vgs=-21v或者22v時，管子會被擊穿。通常使用時，可以使所加電壓vgs=正負9伏比較適合。
10樓：
■mos管開關電路中要用到mos場效電晶體來代替開關，場效電晶體有三個極：源極s、漏極 d和柵極（或叫控制極）g.
工作原理是：在給源極和漏極 之間加上正確極性和大小的電壓（因為管型而異）後，再給g極和源極之間加上控制電壓，就會有相應大小的電流從源極流向漏極 ，如果訊號電壓夠大，這個電路就能瞬間飽和而成為乙個開關了。
11樓：
g極電壓根據mos引數（開啟電壓），一般2-5v，要讓管子起到開關作用，必須給g極開關訊號。詳情參考中國電子diy之家詳細分析
mos管開關電路是怎樣工作的？
12樓：
■mos管開關
電bai路中要用到dumos場效
zhi應管來代替開關，場效電晶體dao有三個極：源極s、漏極 d和柵極（或叫回控制極）g.
工作原理是：在給源極和答漏極 之間加上正確極性和大小的電壓（因為管型而異）後，再給g極和源極之間加上控制電壓，就會有相應大小的電流從源極流向漏極 ，如果訊號電壓夠大，這個電路就能瞬間飽和而成為乙個開關了。
13樓：匿名使用者
gs間加電壓，ds間就可以導通，就這樣通過gs來控制ds，起到開關作用。
請教：mos管做電子開關電路
14樓：董事長老豆
從圖來標出vbat、vbat out看，你的整自個電路都錯了bai：
1、p型場效電晶體應從dus極輸入、d極輸出，你把輸zhi入和輸出弄反了dao。
2、那個r23，應接在s、g之間，而不是接在g、d之間。r23是洩放電阻，當控制信後從0到1時，迅速將加在g極的負壓釋放，保證有效關斷。就算你標錯那個out，在s極輸入、d極輸出，你哪個r23就會使管子導通。
除非en fang有個正壓輸入加到g極上，否則電路就不會關閉。
15樓：匿名使用者
這是n溝道的，高電平導通
16樓：拜雅毋若薇
電路錯了，pmos你還d入s出？也就是說，s和d反了，調過來就對了。這個電路很常用，類似於pnp型三極體，對p三極體來說，e接電源入，c接控制輸出，同理如上。
p溝道mos管開關電路
17樓：瀛洲煙雨
p溝道mos管開關電路圖：
mos管的工作原理(以n溝道增強型mos場效電晶體)它是利用內vgs來控制「感應電荷」的多少，以改容變由這些「感應電荷」形成的導電溝道的狀況，然後達到控制漏極電流的目的。在製造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交介面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的n區接通，形成了導電溝道，即使在vgs=0時也有較大的漏極電流id。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流id隨著柵極電壓的變化而變化。
18樓：匿名使用者
1，如果是
控制led通斷，可以抄選擇n mos管，把5v--電阻--led--nmos d---nmoss對地，g為控制腳in7002，此方法比較簡單，而且in7002是非常常用的管子，很便宜。
2，另外p mosfet例如 ao4437，ao4435都可以
P溝道MOS管開關電路
p溝道mos管開關電路圖 mos管的工作原理 以n溝道增強型mos場效電晶體 它是利用內vgs來控制 感應電荷 的多少,以改容變由這些 感應電荷 形成的導電溝道的狀況,然後達到控制漏極電流的目的。在製造管子時,通過工藝使絕緣層中出現大量正離子,故在交介面的另一側能感應出較多的負電荷,這些負電荷把高滲...
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