1樓：
如果是n管，1和4對，2和3對線圈短路了
2樓：阿刷
手機看不清楚，貌似就是一個感性的負載加個二極體做續流
mos管驅動 問題 30
3樓：無錫海明威電子
這個應該是電動車的驅動電路吧？再並上一個mos管，沒聽過這樣改的。建議是不是選用規格更高的mos管呢？你之前用的75v,75a的？建議上東芝100v,100a的。
求助關於驅動過程中mos管ds兩端電壓的問題
4樓：匿名使用者
在檢測場效電晶體時要同德運網友說的那樣，柵極g與源極s短接一下，放掉柵極的積累電荷。我一般都是加電和負載測試：12或24 伏直流伏電源加燈泡會或繼電器、電線、水，源極s接電源負極，負載（燈泡、繼電器，繼電器的電壓與電源一致）一端接正極，另一端接電線引出接場效電晶體的漏極d，柵極就懸空，一般第一次加電都會導通，這是，雙手的手指沾水打溼一下，一隻手摸電源負極，另一隻手摸一下柵極，正常n溝道的立馬截止關斷；摸負極的手拿開，再摸柵極應該導通，不行就一手摸一下電源正極一手摸柵極，要導通，關不斷就是短路以報廢，p溝道的就反著來實驗。
你的表述還不能判斷是否損壞，要繼續測量，柵極擊穿意味短路，不受控就是損壞啦。
求助mos管問題！！！
5樓：匿名使用者
最好還是全部換用同型號的，因為不同型號之間導通內阻是否區別的，這樣發熱量會有區別，容易造成過勞死，不過mos管有正熱阻效應，影響可能不會太大
6樓：樸鑲潔
09n03是n溝道mos管，mos管代換隻需大小相同，分清n溝道、p溝道即可，功率大的可以代換功率小的！ 檢視原帖》
滿意請採納
如下原理圖low mos開啟時電感電壓為什麼不會對地呀
7樓：匿名使用者
會的，但最好有續流二極體，即在電感的左端對地反向接一個二極體
8樓：匿名使用者
先是上管工作，後下管工作。
mos管上電導通時為什麼柵極會有毛刺，並聯電容濾波之後雖然電壓穩定了，但是不能正常使用
9樓：匿名使用者
功率開關的吧，由於驅動電路，連線，mos管腳都有寄生電感，因此你的驅動波形有振鈴，削弱的辦法有加電容或串聯電阻，但不推薦，因為這會影響開關開啟速度，增加開關損耗，嚴重的會造成穿通；還有就是減小驅動線的長度，越短越好。
10樓：
做電平轉換用的，iic資料轉換之間使用，怎麼柵極會有毛刺呢？
很奇怪，不過電路除錯多了確實會見識很多奇奇怪怪的問題，剛開始都覺得很奇怪，直到找到原因。
大多是**干擾過來的，可能跟佈線不合理有關。
這有一篇iic電平轉換的原理分析，供參考，歡迎繼續交流。連結在這裡。
在mos管的源極和柵極之間並一個電阻,是為保護mos的寄生電感,在電源瞬間上電時候?該如何理解呢 20
11樓：
mos管如果g端懸空的話，會使mos管導通，造成mos管因電流過大而燒燬，加電阻的作用是拉地電阻，起到限流的作用，防止其懸空導通燒燬！
mos管是一個esd敏感元件，本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以很容易受外界或者靜電影響而帶電，容易引起靜電擊穿。
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。
mos管的source和drain是可以對調的，他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能，這樣的器件被認為是對稱的。
柵源間的過電壓保護：如果柵源間的阻抗過高，則漏源間電壓的突變會通過極間電容耦合到柵極而產生相當高的ugs電壓過沖，這一電壓會引起柵極氧化層永久性損壞，如果是正方向的ugs瞬態電壓還會導致器件的誤導通。為此要適當降低柵極驅動電路的阻抗，在柵源之間並接阻尼電阻或並接穩壓值約20v的穩壓管，特別要注意防止柵極開路工作。
12樓：匿名使用者
是為了放電，因為mos管內部類似於一個電容，如果dout沒有下拉功能，mos導通後就會一直處於導通狀態，這裡並聯一個電容後，當dout變成低電位時，可以把mos管結電容的電放掉！如果訊號有下拉功能，可以取消此電阻！
13樓：只是寂寞微染
源極與柵極之間電阻很大，他們之間會有一定的電容量（二極體也有叫pn節電容，所以高頻訊號時要考慮到pn節電容），
並上電阻之後，當訊號由大電壓變小時他們之間通過電阻放電，當訊號電壓由小到大變時就不會與極間電容的電壓疊加（因為極間電容的電已經通過電阻放掉了），訊號電壓就不足於擊穿，起到保護作用
14樓：匿名使用者
你這個問題我幫你在大位元電子變壓器論壇發過帖子了，就等待那邊的高手提供更詳細的解答。
如果有回答，第一時間通知你，你可以留個郵箱。如果問題比較急，你可以登入論壇然後搜尋你的標題看別人的回答也行。
求一個微控制器控制mos管的電路圖
15樓：天晴電子玩家
電路原理圖：
如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等~~ 此時既要隔離傳送控制訊號（例如pwm訊號），也要給驅動級（mos管的推動電路）傳送電能。
常用的訊號傳送有pc923 pc929 6n137 tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的dc-dc，這樣可以降低成本。
16樓：zzx梓
微控制器驅動mos管電路主要根據mos管要驅動什麼東西， 要只是一個繼電器之類的小負載的話直接用51的引腳驅動就可以，要注意電感類負載要加保護二極體和吸收緩衝，最好用n溝道的mos。
如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等。此時既要隔離傳送控制訊號（例如pwm訊號），也要給驅動級（mos管的推動電路）傳送電能。
常用的訊號傳送有pc923 pc929 6n137 tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的dc-dc，這樣可以降低成本。然後mos管有一種簡單的驅動方式:
2sc1815+2sa1015，npn與pnp一個用於mos開啟驅動，一個用於mos快速關斷。
擴充套件資料：
mos管主要引數
開啟電壓vt
開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極s和漏極d之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
標準的n溝道mos管，vt約為3～6v；·通過工藝上的改進，可以使mos管的vt值降到2～3v。
2. 直流輸入電阻rgs
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時以流過柵極的柵流表示
mos管的rgs可以很容易地超過1010ω。
3. 漏源擊穿電壓bvds
在vgs=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使id開始劇增時的vds稱為漏源擊穿電壓bvds
有些mos管中，其溝道長度較短，不斷增加vds會使漏區的耗盡層一直擴充套件到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通後，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的id
4. 柵源擊穿電壓bvgs
在增加柵源電壓過程中，使柵極電流ig由零開始劇增時的vgs，稱為柵源擊穿電壓bvgs。
5. 低頻跨導gm
在vds為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導
gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表徵mos管放大能力的一個重要引數
一般在十分之幾至幾ma/v的範圍內
6. 導通電阻ron
導通電阻ron說明了vds對id的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
在飽和區，id幾乎不隨vds改變，ron的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由於在數位電路中 ，mos管導通時經常工作在vds=0的狀態下，所以這時的導通電阻ron可用原點的ron來近似
對一般的mos管而言，ron的數值在幾百歐以內
7. 極間電容
三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
cgs和cgd約為1～3pf，cds約在0.1～1pf之間
8. 低頻噪聲係數nf
噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由於它的存在，就使一個放大器即便在沒有訊號輸人時，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化
噪聲效能的大小通常用噪聲係數nf來表示，它的單位為分貝（db）。這個數值越小，代表管子所產生的噪聲越小
低頻噪聲係數是在低頻範圍內測出的噪聲係數
場效電晶體的噪聲係數約為幾個分貝，它比雙極性三極體的要小
17樓：love肖工
直接pwm輸出口接一個
小電阻到mos管的g極，然後gs間接一個10k的電阻，常用接法。然後d接vcc。gs間接一個電阻有兩個作用，一是mos關斷的時候，防止mos誤導通。
還有沒有上電的時候能防止一定的靜電損壞；二是mos關斷時，提供一個通道給g極放電，加速關斷。
18樓：匿名使用者
protel給你畫
可以嗎
增大mosfet柵極電阻能消除高頻振盪的原因
19樓：匿名使用者
mosfet當中的高頻振盪原因是，由mosfet的結電容和柵極迴路中的寄生電感共同作用產生的，也就是說mosfet在開通關斷時，mosfet的結電容存在一個充電和放電的動作，而充電、放電電流都要流過mosfet的柵極迴路，如果在柵極迴路裡存在寄生電感，就會產生l*di/dt一個電壓尖峰，可見電流變化速度直接會影響電壓尖峰的大小，如果增加柵極電阻，充電、放電電流相應會減小，結電容容量不變的情況下，充電時間會變長，上面公式裡的dt會變大，所以l*di/dt就會相應減小。也就消除了高頻振盪。
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