1樓：咕咚萌西
1、外觀區別
單晶矽電池的四個角呈現圓弧狀，表面沒有花紋；
多晶矽電池的四個角呈現方角，表面有類似冰花一樣的花紋；
非晶矽電池也就是我們平時說的薄膜元件，它不像晶矽電池可以看出來柵線，表面就如同鏡子一般清晰、光滑；
2、使用上面的區別
對於使用者來說，單晶矽電池和多晶矽電池沒有太大的區別，它們的壽命和穩定性都很好。
雖然單晶矽電池平均轉換效率要比多晶矽高1%左右，但由於單晶矽電池只能做成準正方形（四邊都是圓弧狀），因此當組成太陽能電池板的時候就會有一部分面積填不滿；而多晶矽是正方形，所以不存在這樣的一個問題，它們的優缺點具體如下：
晶矽元件：單塊元件功率相對較高。同樣佔地面積下，裝機容量要比薄膜元件高。但元件厚重易碎，高溫效能較差，弱光性差，年度衰減率高。
薄膜元件：單塊元件功率相對略低。但發電效能高，高溫效能佳，弱光效能好，陰影遮擋功率損失較小，年度衰減率低。應用環境廣泛，美觀，環保。
3、製造工藝區別
多晶矽太陽能電池製造過程中消耗的能量要比單晶矽太陽能電池少30%左右；
因此多晶矽太陽能電池佔全球太陽能電池總產量的份額大，製造成本也小於單晶矽電池，所以使用多晶矽太陽能電池將會更加的節能、環保；
非晶矽太陽電池的方法有很多種，包括等離子增強型化學氣相沉積，反應濺射法、輝光放電法、電子束蒸發法和熱分解矽烷法等。
2樓：南霸天
單晶矽太陽電池
單晶矽太陽電池是當前開發得最快的一種太陽電池，它的構成和生產工藝已定型，產品已廣泛用於宇宙空間和地面設施。這種太陽電池以高純的單晶矽棒為原料，純度要求99.9999％。
為了降低生產成本，現在地面應用的太陽電池等採用太陽能級的單晶矽棒，材料效能指標有所放寬。有的也可使用半導體器件加工的頭尾料和廢次單晶矽材料，經過復拉制成太陽電池專用的單晶矽棒。將單晶矽棒切成片，一般片厚約0.
3毫米。矽片經過成形、拋磨、清洗等工序，製成待加工的原料矽片。
加工太陽電池片，首先要在矽片上摻雜和擴散，一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。擴散是在石英管制成的高溫擴散爐中進行。這樣就在矽片上形成p/n結。
然後採用絲網印刷法，將配好的銀漿印在矽片上做成柵線，經過燒結，同時製成背電極，並在有柵線的面塗覆減反射源，以防大量的光子被光滑的矽片表面反射掉，至此，單晶矽太陽電池的單體片就製成了。
單體片經過抽查檢驗，即可按所需要的規格組裝成太陽電池元件（太陽電池板），用串聯和並聯的方法構成一定的輸出電壓和電流，最後用框架和封裝材料進行封裝。使用者根據系統設計，可將太陽電池元件組成各種大小不同的太陽電池方陣，亦稱太陽電池陣列。目前市場上的單晶矽太陽電池的光電轉換平均效率為19％左右，個別公司最近推出的新產品普遍都超出這個值。
實驗室成果普遍在20％以上。用於宇宙空間站的還有高達50%以上的太陽能電池板。
多晶矽太陽電池
單晶矽太陽電池的生產需要消耗大量的高純矽材料，而製造這些材料工藝複雜，電耗很大，在太陽電池生產總成本中己超二分之一，加之拉制的單晶矽棒呈圓柱狀，切片製作太陽電池也是圓片，組成太陽能元件平面利用率低。因此，80年代以來，歐美一些國家投入了多晶矽太陽電池的研製。 目前太陽電池使用的多晶矽材料，多半是含有大量單晶顆粒的集合體，或用廢次單晶矽料和冶金級矽材料熔化澆鑄而成。
其工藝過程是選擇電阻率為100～300歐姆釐米的多晶塊料或單晶矽頭尾料，經破碎，用1：5的氫氟酸和硝酸混合液進行適當的腐蝕，然後用去離子水沖洗呈中性，並烘乾。用石英坩堝裝好多晶矽料，加人適量硼矽，放人澆鑄爐，在真空狀態中加熱熔化。
熔化後應保溫約20分鐘，然後注入石墨鑄模中，待慢慢凝固冷卻後，即得多晶矽錠。這種矽錠可鑄成立方體，以便切片加工成方形太陽電池片，可提高材質利用率和方便組裝。
多晶矽太陽電池的製作工藝與單晶矽太陽電池差不多，其光電轉換效率約12％左右，稍低於單晶矽太陽電池，但是材料製造簡便，節約電耗，總的生產成本較低，因此得到大量發展。隨著技術得提高，目前多晶矽的轉換效率也可以達到18%左右。
非晶矽太陽電池
非晶矽太陽電池是2023年有出現的新型薄膜式太陽電池，它與單晶矽和多晶矽太陽電池的製作方法完全不同，矽材料消耗很少，電耗更低，非常吸引人。製造非晶矽太陽電池的方法有多種，最常見的是輝光放電法，還有反應濺射法、化學氣相沉積法、電子束蒸發法和熱分解矽烷法等。輝光放電法是將一石英容器抽成真空，充入氫氣或氬氣稀釋的矽烷，用射頻電源加熱，使矽烷電離，形成等離子體。
非晶矽膜就沉積在被加熱的襯底上。若矽烷中摻人適量的氫化磷或氫化硼，即可得到n型或p型的非晶矽膜。襯底材料一般用玻璃或不鏽鋼板。
這種製備非晶矽薄膜的工藝，主要取決於嚴格控制氣壓、流速和射頻功率，對襯底的溫度也很重要。
非晶矽太陽電池的結構有各種不同，其中有一種較好的結構叫pin電池，它是在襯底上先沉積一層摻磷的n型非晶矽，再沉積一層未摻雜的i層，然後再沉積一層摻硼的p型非晶矽，最後用電子束蒸發一層減反射膜，並蒸鍍銀電極。此種製作工藝，可以採用一連串沉積室，在生產中構成連續程式，以實現大批量生產。同時，非晶矽太陽電池很薄，可以製成疊層式，或採用積體電路的方法制造，在一個平面上，用適當的掩模工藝，一次製作多個串聯電池，以獲得較高的電壓。
因為普通晶體矽太陽電池單個只有0.5伏左右的電壓，現在日本生產的非晶矽串聯太陽電池可達2.4伏。
3樓：匿名使用者
先談區別：
結構上，單晶矽最完美，多晶矽次之，非晶矽缺陷最多；
效能上，單晶矽缺陷少，有利於光生少子收集，因此，光電轉換效率最高；多晶矽，由於晶界的出現，光生少子容易在晶界出被“幹掉”，也就是消失了，所以光電轉換效率次之；非晶矽由於有很多搖擺鍵、破鍵，光生少子更容易消失，但是，經過鈍化工藝（加氫飽和破鍵）處理，其帶隙可由1.1電子伏特升至1.7電子伏特，光電轉換效率也可以接近10%，從這點看，好像非晶矽的前景不錯；但是，據傳說，尚德非晶矽一條線不知何故，投產後又下馬了，可見，這個結論應該站不住腳。
成本上，單晶矽最昂貴，因為生產工序最複雜耗時；多晶矽次之；非晶矽最便宜。
各自的優越性，應該可以從上面得出了吧！
4樓：匿名使用者
半導體材料的結構不一樣，效率排列是：單晶》多晶》非晶，單晶效率最高，但成本也最高，多晶居中，非晶最節約材料，弱光響應好，可做成柔性的，但轉換效率最低，目前估計10%左右。
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