多晶矽電阻率的N型和P型有什麼區別

2022-08-14 20:57:33 字數 5469 閱讀 6490

1樓:一縷麥香

2分鐘使你真正了解半導體,p型半導體與n型半導體詳解,二極體,0基礎學習電子知識,二極體的內部成分,半導體詳細講解

2樓:匿名使用者

簡單地說n型就是在矽電極中加了硼原子,p型就是在矽電極中加入了磷原子。

3樓:匿名使用者

n型的電阻率較大p型的較小。

4樓:匿名使用者

專家。太陽能電池方面的專業術語

單晶矽的p型,n型是怎麼回事?是和電阻率有關嗎?還有那些型號

5樓:匿名使用者

p型n型是說不同的導電型別,他們的導電機制不同,p型是空穴導電,n型是電子導電,所以這是導電機制決定的,而導電機制只分兩種,所以沒有什麼其他字母。矽中摻磷是n型,摻磷越多則,自由電子越多,導電能力越強,電阻率就越低;相反矽中摻硼則為p型,摻硼越多則能置換矽產生的空穴也越多,則導電能力越強,電阻率就越低。0.

5-3是你電阻率的值,測量儀器最常用的是四探針,直接可顯示導電型別及電阻率值

6樓:

p就是含磷元素雜質,n就是氮元素雜質,還有一種b就是硼元素雜質,矽料分檢前先要測量含雜質內型,區分他們分別是含p型還是n型,然後在測電阻。

7樓:匿名使用者

單晶矽具有準金屬的物理性質,有較弱的導電性,其電導率隨溫度的公升高而增加,有顯著的半導電性。超純的單晶矽是本徵半導體。在超純單晶矽中摻入微量的ⅲa族元素,如硼可提高其導電的程度,而形成p型矽半導體;如摻入微量的ⅴa族元素,如磷或砷也可提高導電程度,形成n型矽半導體。

....

8樓:匿名使用者

建議你翻翻電力電子或者是模電,數電裡面都有詳細解釋什麼是n型什麼是p型

p型和n型單晶矽片的區別是什麼?

9樓:1d路飛

p型和n型的單晶矽片的區別如下:

n型是電子導電,p型是空穴導電。

單晶矽中摻磷是n型,摻磷越多則自由電子越多,導電能力越強,電阻率就越低;

單晶矽中摻硼為p型,摻硼越多則能置換矽產生的空穴也越多,導電能力越強,電阻率就越低。

半導體的型別-n型、p型是怎樣定義和區別的?

10樓:假裝是個小號

下面,我們將採用對比分析的方法來認識p型半導體和n型半導體。

p型半導體也稱為空穴型半導體。p型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。在純淨的矽晶體中摻入三價元素(如硼),使之取代晶格中矽原子的位子,就形成p型半導體。

在p型半導體中,空穴為多子,自由電子為少子,主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供,自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多,多子(空穴)的濃度就越高,導電性能就越強。

n型半導體也稱為電子型半導體。n型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。在純淨的矽晶體中摻入五價元素(如磷),使之取代晶格中矽原子的位置,就形成了n型半導體。

在n型半導體中,自由電子為多子,空穴為少子,主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供,空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導電性能就越強。

擴充套件資料

半導體( semiconductor),指常溫下導電性能介於導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。

半導體是指一種導電性可受控制,範圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看,半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品,如計算機、移動**或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。

常見的半導體材料有矽、鍺、砷化鎵等,而矽更是各種半導體材料中,在商業應用上最具有影響力的一種。

以gan(氮化鎵)為代表的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的核心和基礎,其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。gan基光電器件中,藍色發光二極體led率先實現商品化生產 成功開發藍光led和ld之後,科研方向轉移到gan紫外光探測器上 gan材料在微波功率方面也有相當大的應用市場。氮化鎵半導體開關被譽為半導體晶元設計上乙個新的里程碑。

美國佛羅里達大學的科學家已經開發出一種可用於製造新型電子開關的重要器件,這種電子開關可以提供平穩、無間斷電源。

參考資料

11樓:angleeee丶

一、區別:

形成原因不同:

在半導體中摻入施主雜質,就得到n型半導體;施主雜質:週期表第v族中的某種元素,例如砷或銻。

在半導體中摻入受主雜質,就得到p型半導體;受主雜質:週期表中第ⅲ族中的一種元素,例如硼或銦。

2.導電特性不同:

p型半導體的導電特性:它是靠空穴導電,摻入的雜質越多,多子(空穴)的濃度就越高,導電性能也就越強。

n型半導體的導電特性:摻入的雜質越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導電性能也就越強。

二、定義

(一)、n型半導體,也稱為電子型半導體。n型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。 「n」表示負電的意思,取自英文negative的第乙個字母。

在這類半導體中,參與導電的 主要是帶負電的電子,這些電子來自半導體中的施主。

(二)、p型半導體,也稱為空穴型半導體。p型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。由於p型半導體中正電荷量與負電荷量相等,故p型半導體呈電中性。

拓展資料:

半導體特殊性:

半導體五大特性∶摻雜性,熱敏性,光敏性,負電阻率溫度特性,整流特性。

★在形成晶體結構的半導體中,人為地摻入特定的雜質元素,導電性能具有可控性。

★在光照和熱輻射條件下,其導電性有明顯的變化。

半導體分類:

按照其製造技術可以分為:積體電路器件,分立器件、光電半導體、邏輯ic、模擬ic、儲存器等大類,一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類,雖然不常用,但還是按照ic、lsi、vlsi(超大lsi)及其規模進行分類的方法。

此外,還有按照其所處理的訊號,可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

12樓:一縷麥香

2分鐘使你真正了解半導體,p型半導體與n型半導體詳解,二極體,0基礎學習電子知識,二極體的內部成分,半導體詳細講解

13樓:匿名使用者

p型半導體也稱為空穴型半導體。p型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。

在純淨的矽晶體中摻入三價元素(如硼),使之取代晶格中矽原子的位子,就形成p型半導體。在p型半導體中,空穴為多子,自由電子為少子,主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供,自由電子由熱激發形成。

摻入的雜質越多,多子(空穴)的濃度就越高,導電性能就越強。n型半導體也稱為電子型半導體。n型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。

在純淨的矽晶體中摻入五價元素(如磷),使之取代晶格中矽原子的位置,就形成了n型半導體。在n型半導體中,自由電子為多子,空穴為少子,主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供,空穴由熱激發形成。

摻入的雜質越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導電性能就越強。

單晶矽和多晶矽有什麼區別

14樓:匿名使用者

1、在力學性質、光學性質和熱學性質的各向異性方面,遠不如單晶矽明顯;

2、在電學性質方面,多晶矽晶體的導電性也遠不如單晶矽顯著,甚至於幾乎沒有導電性。

3、在化學活性方面,兩者的差異極小,一般都用多晶矽比較多。

多晶矽,是單質矽的一種形態。熔融的單質矽在過冷條件下凝固時,矽原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結合起來,就結晶成多晶矽。

利用價值:從目前國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶矽、多晶矽、帶狀矽、薄膜材料(包括微晶矽基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。

15樓:匿名使用者

多晶矽是生產單晶矽的直接原料,是當代人工智慧、自動控制、資訊處理、光電轉換等半導體器件的電子資訊基礎材料。被稱為「微電子大廈的基石」。

在太陽能利用上,單晶矽和多晶矽也發揮著巨大的作用。雖然從目前來講,要使太陽能發電具有較大的市場,被廣大的消費者接受,就必須提高太陽電池的光電轉換效率,降低生產成本。從目前國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶矽、多晶矽、帶狀矽、薄膜材料(包括微晶矽基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。

從工業化發展來看,重心已由單晶向多晶方向發展,主要原因為;[1]可**太陽電池的頭尾料愈來愈少;[2] 對太陽電池來講,方形基片更合算,通過澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶矽可直接獲得方形材料;[3]多晶矽的生產工藝不斷取得進展,全自動澆鑄爐每生產週期(50小時)可生產200公斤以上的矽錠,晶粒的尺寸達到厘公尺級;[4]由於近十年單晶矽工藝的研究與發展很快,其中工藝也被應用於多晶矽電池的生產,例如選擇腐蝕發射結、背表面場、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細金屬柵電極,採用絲網印刷技術可使柵電極的寬度降低到50微公尺,高度達到15微公尺以上,快速熱退火技術用於多晶矽的生產可大大縮短工藝時間,單片熱工序時間可在一分鐘之內完成,採用該工藝在100平方厘公尺的多晶矽片上作出的電池轉換效率超過14%。據報道,目前在50~60微公尺多晶矽襯底上製作的電池效率超過16%。利用機械刻槽、絲網印刷技術在100平方厘公尺多晶上效率超過17%,無機械刻槽在同樣面積上效率達到16%,採用埋柵結構,機械刻槽在130平方厘公尺的多晶上電池效率達到15.

8%單晶矽和多晶矽的區別是,當熔融的單質矽凝固時,矽原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則形成單晶矽。如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則形成多晶矽。多晶矽與單晶矽的差異主要表現在物理性質方面。

例如在力學性質、電學性質等方面,多晶矽均不如單晶矽。多晶矽可作為拉製單晶矽的原料。單晶矽可算得上是世界上最純淨的物質了,一般的半導體器件要求矽的純度六個9以上。

大規模積體電路的要求更高,矽的純度必須達到九個9。目前,人們已經能製造出純度為十二個9 的單晶矽。單晶矽是電子計算機、自動控制系統等現代科學技術中不可缺少的基本材料

16樓:enjoy所謂回憶

單晶矽矽有晶態和無定形兩種同素異形體。晶態矽又分為單晶矽和多晶矽,它們均具有金剛石晶格,晶體硬而脆,具有金屬光澤,能導電,但導電率不及金屬,且隨溫度公升高而增加,具有半導體性質。

單晶矽在日常生活中是電子計算機、自動控制系統等現代科學技術中不可缺少的基本材料。電視、電腦、冰箱、**、手錶、汽車,處處都離不開單晶矽材料,單晶矽作為科技應用普及材料之一,已經滲透到人們生活中的各個角落。

多晶矽多晶矽是單質矽的一種形態。熔融的單質矽在過冷條件下凝固時,矽原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結合起來,就結晶成多晶矽。多晶矽可作拉製單晶矽的原料,多晶矽與單晶矽的差異主要表現在物理性質方面。

例如,在力學性質、光學性質和熱學性質的各向異性方面,遠不如單晶矽明顯;在電學性質方面,多晶矽晶體的導電性也遠不如單晶矽顯著,甚至於幾乎沒有導電性。在化學活性方面,兩者的差異極小。多晶矽和單晶矽可從外觀上加以區別,但真正的鑑別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電型別和電阻率等。

單晶矽與多晶矽的區別,單晶矽與多晶矽不同功能及優缺點是什麼

暨樺昌泰寧 單晶矽矽有晶態和無定形兩種同素異形體。晶態矽又分為單晶矽和多晶矽,它們均具有金剛石晶格,晶體硬而脆,具有金屬光澤,能導電,但導電率不及金屬,且隨溫度升高而增加,具有半導體性質。單晶矽在日常生活中是電子計算機 自動控制系統等現代科學技術中不可缺少的基本材料。電視 電腦 冰箱 手錶 汽車,處...

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