1樓:
樓上幾位有點外行了,這是使用電容測試儀來測試電容的耐壓值,當然要比電容額定電壓要高了,而且電壓高了對測試結果也沒影響,只會使測試儀裡面的功率管功耗大些。通過測試電解電容的漏電電流,可以推算出它的極限耐壓和額定耐壓。
樓主的問題估計是測試電流選擇不對,測試電壓是沒問題。測試電流要根據電容容量來選擇,容量越大測試電流也越大。對於10μf以下的小電容,可選擇0.
2~1ma的測試電流,對於10~100μf的電容,可選擇1~2ma左右的測試電流,對於100~1000μf的電容,可選擇3ma左右的測試電流,對於1000~4700μf的電,容,可選擇5ma左右的測試電流,對於4700μf以上的電容,可選擇大於10ma的測試電流。你現在的就有可能是測試電流設定太小,所以一開始時測試儀電壓提到90v,是因為儀器對電容充電檢測到的電流太小,所以它提高電壓來提公升漏電流,當漏電流上去後因電壓過高,它又降到30v。你將電流設對了就不會出現這種情況了。
2樓:匿名使用者
電容的充電和化學反應電池不一樣,它的充電要看頻率,正半周充電,負半周要放電的,直流電只有剛接觸的一瞬間,充下電,然後就沒有電流了。
3樓:匿名使用者
10v 50v? 電容沒有鼓嗎? 明顯電容要損壞的啊(式電解電容吧)
4樓:勞珈藍禎
哥們 你的電源是直流電池還是交流變壓器得到的?
mlcc耐電壓是什麼意思
5樓:一氣化三清
通常,電容器採用的介質材料主要包括:空氣(介電常數k幾乎與真空相同,定義為1);天然介質:如雲母,介電常數(k)為4~8;合成材料:
如陶瓷,k值範圍由9~1500。 電容器所用陶瓷介質是以鈦酸鹽為主要成份,可以通過配方調整製成具有極高介電常數和其他適當電特性的介質材料。這是陶瓷電容器,尤其是片式多層陶瓷電容器(mlcc)技術的基礎。
mlcc製造過程中的所有工藝和其它材料的確定原則都趨向於實現其介電效能的最優化
50v22微法與25v22微法的電容有什麼區別 20
6樓:赤腳浪人
一般來說,耐壓不同的電容他們的介質損耗角也是不同的,耐壓越低損耗角越大,但耐壓超過100v後又反過來了,這個材料和製造工藝有關
另外就是物理上的了,相同容量耐壓越高體積越大
如果你的工作電壓為穩定的線性直流24v用25v問題是不大的,一般電解電容的耐壓都會留有餘量的,但如果是用在開關電源中,由於頻率和紋波的問題,耐壓值接近工作電壓是比較危險的,我做開關電源時,比如12v的電源,肖特基整流出來我都是用25v耐壓,在後面串乙個電感後的電容都是16v的,至今沒有出現過16v電容有問題的,倒是25v的電容由於處於高頻工作下,2、3年後失效的 ,這個失效跟電容的質量也有關係,比如高頻特性不好,加上內阻過高發熱而過早失效
7樓:
確切的說,電容的標稱電壓應該為實際工作電壓的根號2倍,也就是1.41倍。
那麼,標稱25v的電解電容只能在18v 以下的電壓下工作,標稱50v的電容最高可工作在36v。
8樓:匿名使用者
沒區別!
相同體積的電容,標的電壓越大,其容量越小(uf).因為q=cu,q是電容當前電荷數,它和電容的體積基本上成正比.
在你說的情況中,你可以把兩個電容看做兩個容器,5v的容量比10v的小一半(因為它們都是0.01uf),當你充5v的時候,想當於把第乙個電容裝滿了,把第二個電容充了一半;如果你充更高的電壓6v,那第乙個電容就漫出來了,實際表現為電容被擊穿!
9樓:哈里魔術師
耐壓不同,一般來說體積也不同
10樓:0427付強
耐壓不同。
50v 22μf的電容,最高可以充電到50v,而25v 22μf的電容器,最高則只能充電到25v。電容器的實際充電電壓不可以超過電容的耐壓,否則電容器會被擊穿損壞。
電容器的一般替換原則為在電容量相同的情況下,耐壓高的電容器可以代替耐壓低的電容器。因此,可以使用50v 22μf的電容器來代替25v 22μf電容器,但不能用25v 22μf電容代替50v 22μf的電容器。
這個電容是47的 我這有兩個50v和乙個10v的 可以一起用嗎
11樓:知無不言
這個電解電容在電路中起偶合作用,要求不很嚴,只要容量耐壓相差不甚大都能用。
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12樓:匿名使用者
這個問題很好解決啊,不知道你學過阻抗沒?z=r+jxc; 將兩個電容器串聯在150v的電路中,兩個電容器的阻抗是可以求得的z=1/jwc這是電容器的阻抗。通過這個公式,可以看出c1的阻抗是c2阻抗的兩倍哦,由於電路是串聯,也就承擔了三分之二的電壓,也就是100伏了。
不知道你能明白麼?給分數吧,有問題再諮詢我吧。
13樓:千手修羅
z=r+jxc; 將兩個電容器串聯在150v的電路中,兩個電容器的阻抗是可以求得的z=1/jwc這是電容器的阻抗。通過這個公式,可以看出c1的阻抗是c2阻抗的兩倍哦,由於電路是串聯,也就承擔了三分之二的電壓,也就是100伏了。
14樓:小人兒
電路最高電壓是150v
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