1樓:你問我就對了
如果只有一種電荷(正或者負)當然很容易。
你把右手掌伸開,四指頭是磁場方向朝前,拇指是電流(正電荷)方向向上。那麼掌心方向(左)就是受力方向。
所以左邊就會呈現正電壓。
怎麼判斷霍爾效應正負電荷移動方向?
2樓:清溪看世界
將一bai導電板放在垂至於他的du
磁場中,zhi當有電流通過時,在導電板dao的a、a'兩側版會產生乙個電
權勢差uaa',這就是霍爾效應。
利用左手定則,可以判斷載流子(q>0,正電荷)所受洛倫茲力f的方向是與紙面平行向上,即運動向上;載流子(q<0,負電荷)所受洛倫茲力f的方向是與紙面平行向下,即運動向下。
3樓:匿名使用者
將一導bai電板放在垂至於
du他的磁場中,當有zhi電流通過時,在導電板dao的a、a'兩側會內產生乙個電勢差uaa',這就是霍容爾效應。利用左手定則,可以判斷載流子(q>0,正電荷)所受洛倫茲力f的方向是與紙面平行向上,即運動向上;載流子(q<0,負電荷)所受洛倫茲力f的方向是與紙面平行向下,即運動向下。。
4樓:匿名使用者
因為銅塊中自由移抄
動的微襲粒是電子,所以載流子是電子。用左手判斷,讓磁場線穿過手心,四指指向電流方向,大母指的方向為磁場對導體中的電子產生乙個的作用力方向,所以電子會偏移,造成兩端產生電勢差。本題電子是 向上偏,造成底端電勢大,上端電勢小。
所以電場方向為豎直向上。希望我的答案能給你帶來幫助。o(∩_∩)o
如何利用霍爾效應的原理判斷導體載流子正負性?急用!
5樓:匿名使用者
測橫向電勢差,電流方向,通過lorentz力判斷是電子,還是空穴.
如何從霍爾電壓的正負判斷載流子帶的是正電還是負電和霍爾元件是p或n 型半導體?
6樓:南瓜蘋果
對於正負電
荷,在電來流方向相同,也自
就是粒子bai運動方向相反的情況下,du洛侖茲力的方向是相同zhi的。因dao此正負電荷的霍爾電壓是相反的。
假定價帶頂在k=0處,靠近價帶頂的電子的晶體動量和速度是相反的。這意味著在價帶頂處的電子受到的洛侖茲力的方向和導帶底是相反的。n型半導體的自由電子在導帶底,p型半導體的電子費公尺面在價帶頂,這也就是兩者的霍爾效應相反的原因。
擴充套件資料
所謂霍爾效應,是指磁場作用於載流金屬導體、半導體中的載流子時,產生橫向電位差的物理現象。金屬的霍爾效應是2023年被美國物理學家霍爾發現的。
當電流通過金屬箔片時,若在垂直於電流的方向施加磁場,則金屬箔片兩側面會出現橫向電位差。半導體中的霍爾效應比金屬箔片中更為明顯,而鐵磁金屬在居里溫度以下將呈極強的霍爾效應。
如果把霍爾元件整合的開關按預定位置有規律地布置在物體上,當裝在運動物體上的永磁體經過它時,可以從測量電路上測得脈衝訊號。根據脈衝訊號列可以感測出該運動物體的位移。若測出單位時間內發出的脈衝數,則可以確定其運動速度。
霍爾效應裡判斷正負載流子問題
7樓:匿名使用者
這樣理解也可以,但是p型半導體空穴為多數載流子,電子為少數載流子,與n型相反。那麼電子的移動在乙個方向上,n型的大於p型的,在這個方向上n型電子多故電場方向為相反方向指向這個方向。p型則相反
8樓:匿名使用者
你理解有些偏差了,空穴那個好好分析下
霍爾效應判斷正負載流子問題
9樓:匿名使用者
作空穴等效時,空穴的運動方向是和電子相反的。這個涉及固體理論。版就是說並非簡單的乙個電
權子的運動或者怎麼怎麼的,而是一群電子一起運動,導致的效果就相當於乙個空穴在運動。所以和金屬那樣的電子導電或者n型半導體導電是不同的。
怎樣利用霍爾效應測量載流子
10樓:青絲染霜
只要分別測出霍爾電流ih及霍爾電勢差uh就可算出磁場b的大小.2mm厚,直到電場對載流子的作用力fe=qe與磁場作用的洛淪茲力相抵消為止,寬度為b。洛淪茲力使電荷產生橫向的偏轉,一般只有0;(ma·t),垂直磁場對運動電荷產生乙個洛淪茲力
(3-14-1)
式中q為電子電荷,是研究半導體材料的重要手段。kh與載流子濃度p成反比,知道了霍爾片的靈敏度kh。
霍爾電勢差是這樣產生的,所以n型樣品和p型樣品的霍爾電勢差有不同的符號霍爾效應可以測定載流子濃度及載流子遷移率等重要引數。
由(3-14-5)式可以看出,霍爾電勢差就是由這個電場建立起來的,所以都用半導體材料作為霍爾元件。還可以用霍爾效應測量直流或交流電路中的電流強度和功率以及把直流電流轉成交流電流並對它進行調製,空穴有一定的漂移速度v、轉速的測量,則空穴的速度v=ih/pqbd。kh與片厚d成反比,代入(3-14-2)式有
(3-14-3)
上式兩邊各乘以b。
設p型樣品的載流子濃度為p。通過樣品電流ih=pqvbd,即
(3-14-2)
這時電荷在樣品中流動時將不再偏轉,所以霍爾元件都做的很薄、放大。
如果是n型樣品,產生乙個橫向電場e,由於樣品有邊界。一般要求kh愈大愈好。用霍爾效應製作的感測器廣泛用於磁場,則橫向電場與前者相反,單位為mv、位置。
半導體內載流子濃度遠比金屬載流子濃度小、位移. (3-14-5)
比例係數kh=rh/d=1/pqd稱為霍爾元件靈敏度,便得到
(3-14-4)
稱為霍爾係數。在應用中一般寫成
uh=khihb:當電流ih通過霍爾元件(假設為p型)時,所以有些偏轉的載流子將在邊界積累起來,據此可以判斷霍爾元件的導電型別,厚度為d。這就是霍爾效應測磁場的原理,以及判斷材料的導電型別
關於霍爾效應的霍爾係數,實驗室用的霍爾效應儀器的霍爾係數是多少
半導體上外加與電流方向垂直的磁場,會使得半導體中的電子與空回穴受到不同方向的答洛倫茲力而在不同方向上聚集,在聚集起來的電子與空穴之間會產生電場,電場力與洛倫茲力產生平衡之後,不再聚集 此時電場將會使後來的電子和空穴受到電場力的作用而平衡掉磁場對其產生的洛倫茲力,使得後來的電子和空穴能順利通過不會偏移...
高中物理霍爾效應高中物理霍爾效應什麼是霍爾效應
霍爾效應是一種磁電效應，是德國物理學家霍爾1879年研究載流導體在磁場中受力的性質時發現的。根據霍爾效應，人們用半導體材料製成霍爾元件，它具有對磁場敏感 結構簡單 體積小 頻率響應寬 輸出電壓變化大和使用壽命長等優點，因此，在測量 自動化 計算機和資訊科技等領域得到廣泛的應用。通過該實驗可以了解霍爾...
霍爾電壓的公式怎麼推導,霍爾效應公式推導
答 設載流子的 抄電荷襲 量為q,定向移動的速度的平均值bai為duv,磁感應強度為b,平衡時zhi有 q v b qe 得e v b 設l為金屬片的寬度,電場dao為勻強電場,於是u e l v b l 設單位體積內的載流子數為n,則根據電流的定義有i n q v s 式中s l d,是薄片的橫截...