1樓：匿名使用者
霍爾效應
bai是磁電效應的一種，這du一現象zhi是美國物理學家霍爾（a.h.hall，1855—
dao1938）於2023年在研究專金屬的導電機構時屬發現的。當電流垂直於外磁場通過導體時，在導體的垂直於磁場和電流方向的兩個端麵之間會出現電勢差，這一現象便是霍爾效應。這個電勢差也被叫做霍爾電勢差。
霍爾電壓vh=rh*ix*bz/d，其中rh是霍爾常數，與材料的性質種類有關，ix是x方向的電流，bz是z方向的磁場，d是材料的厚度。此時將會產生y方向的電壓。
2樓：絕影散浪
當電流垂直於外復磁場通過導體
時，在制導體的bai垂直於磁場和電流方du向的兩個端麵之間會出現zhi電勢差，這一現
dao象便是霍爾效應。這個電勢差也被叫做霍爾電勢差。
現在闡述霍爾效應的原理：
以p型半導體為例，當沿ox方向加電場ex時，空穴漂移速度為vx,電流密度為jx=pqvx,在垂直磁場bz的作用下，空穴受到洛倫茲力qv*b，方向沿-y方向，大小為qvxbz。空穴在洛倫茲力的作用下向-y方向偏轉，如同附加乙個橫向電流，因而在樣品兩端引起電荷積累，即產生了電勢差。
霍爾電壓vh=rh*ix*bz/d，其中rh是霍爾常數，與材料的性質種類有關，ix是x方向的電流，bz是z方向的磁場，d是材料的厚度。此時將會產生y方向的電壓。
霍爾電壓的大小和方向和哪些因素有關？求大神解答
3樓：anyway中國
霍爾電壓（一般稱霍爾電勢）的大小和方向與下述因素有關：
1、激勵電流i
2、與激勵電流垂直的磁感應強度分量b
3、器件材料（決定靈明度係數k）
4、霍爾電勢的方向還與半導體是p型還是n型有關，兩者方向相反設霍爾電勢為eh
則：eh=kib
注：b為與電流垂直的磁感應強度分量
什麼是霍爾效應？霍爾電動勢與哪些因素有關?
4樓：匿名使用者
當電流垂直於抄外磁場通過半導體時，載流子發生偏轉，垂直於電流和磁場的方向會產生一附加電場，從而在半導體的兩端產生電勢差，這一現象就是霍爾效應。霍爾電動勢的影響因素如下：
由霍爾效應的原理知，霍爾電勢的大小取決於：rh為霍爾常數，它與半導體材質有關；ic為霍爾元件的偏置電流；b為磁場強度；d為半導體材料的厚度。對於乙個給定的霍爾器件，vh將完全取決於被測的磁場強度b。
霍爾效應的本質：
固體材料中的載流子在外加磁場中運動時，因為受到洛侖茲力的作用而使軌跡發生偏移，並在材料兩側產生電荷積累，形成垂直於電流方向的電場，最終使載流子受到的洛侖茲力與電場斥力相平衡，從而在兩側建立起乙個穩定的電勢差即霍爾電壓。
正交電場和電流強度與磁場強度的乘積之比就是霍爾係數。平行電場和電流強度之比就是電阻率。大量的研究揭示：參加材料導電過程的不僅有帶負電的電子，還有帶正電的空穴。
5樓：諸奇
在半導bai體薄片兩端通du以控制電流
i，並在薄片的垂zhi直方向上施加dao磁感應強度為b的磁場，那麼內，在垂直於電流和容磁場的方向上將產生電勢uh(稱為霍爾電勢電壓),這種現象稱為霍爾效應 。
霍爾電動勢的大小正比於控制電流和磁感應強度。如果流過的電流越大，則電荷量就越多，霍爾電動勢越高；如果磁感應強度越強，電子受到的洛侖茲力也越大，電子參與偏轉的數量就越多，霍爾電動勢也越高。此外，薄片的厚度、半導體材料中的電子濃度對霍爾電動勢的大小也會有影響。
霍爾效應是什麼？它產生的原因有哪些
6樓：匿名使用者
當乙個磁場穿過霍爾元件的時候，霍爾元件上的電荷會向兩端聚集，在兩端形成電壓，這就是霍爾效應。具體的電壓產生的極性和磁場的方向和元件本身的材料有關。
如何測定霍爾靈敏度？它和哪些因素有關？為提高霍爾原件的靈敏度你將採用什麼方法？
7樓：假面
霍爾636f707962616964757a686964616f31333431346339元件（由銻化銦製成）的靈敏度比較好測量，相同的電壓和磁場條件下，輸出電壓高的則靈敏度高.
霍爾積體電路（ic)的靈敏度的測量要分兩種：
（1) 對於開關型，測量可以使hall ic開啟（一般輸出由高變低）的磁場強度，使hall開啟的磁場越弱則靈敏度越高。
（2）對於線性hall，則需要給晶元乙個磁場變數（比如磁場變化100gs）看輸出電壓變化值的大小，電壓變化的則靈敏度高。
對於怎樣提高靈敏度，在hall材料已經確定的情況下只能靠外加放大器等電子電路來變相的實現。
8樓：
霍爾的bai靈敏度指單位電壓或者du單位電流在單位磁場下zhi（比如dao1t或者1mt）產生的回霍爾電壓，這個霍爾電壓一般答很小（最多mv級別）。霍爾靈敏度主要與製成霍爾元件（或者晶元）的材料有關，一般來講，材料的遷移率越高，則靈敏度越高。另外，霍爾靈敏度也與所加的電壓或者電流偏置有關。
霍爾元件（一般由銻化銦製成）的靈敏度比較好測量，相同的電壓和磁場條件下，輸出電壓高的則靈敏度高。
霍爾積體電路（ic)的靈敏度的測量要分兩種：（1) 對於開關型，測量可以使hall ic開啟（一般輸出由高變低）的磁場強度，使hall開啟的磁場越弱則靈敏度越高。（2）對於線性hall，則需要給晶元乙個磁場變數（比如磁場變化100gs）看輸出電壓變化值的大小，電壓變化的則靈敏度高。
對於怎樣提高靈敏度，在hall材料已經確定的情況下只能靠外加放大器等電子電路來變相的實現。
霍爾電壓的公式怎麼推導,霍爾效應公式推導
答 設載流子的 抄電荷襲 量為q,定向移動的速度的平均值bai為duv,磁感應強度為b,平衡時zhi有 q v b qe 得e v b 設l為金屬片的寬度,電場dao為勻強電場,於是u e l v b l 設單位體積內的載流子數為n,則根據電流的定義有i n q v s 式中s l d,是薄片的橫截...
高中物理霍爾效應高中物理霍爾效應什麼是霍爾效應
霍爾效應是一種磁電效應，是德國物理學家霍爾1879年研究載流導體在磁場中受力的性質時發現的。根據霍爾效應，人們用半導體材料製成霍爾元件，它具有對磁場敏感 結構簡單 體積小 頻率響應寬 輸出電壓變化大和使用壽命長等優點，因此，在測量 自動化 計算機和資訊科技等領域得到廣泛的應用。通過該實驗可以了解霍爾...
採用霍爾效應法測量磁場時具體要測量哪些物理量
測量固定im調節is或固定is調節im時u1 is,b u2 is,b u3 is,b u4 is,b 的值 確定頻率,調節座標後看測量儀讀出資料,記錄就可以了 若f 200hz,i 100ma則b 0.0146um 10 3計算就可以了 霍爾效應法測量磁場時需要測哪些物理量 1需要測量霍爾電壓,電...