1樓：lee羅亞輝
一般為4.62kgs/a，表示的為b/is的大小。
霍爾效應（hall effect）是指當固體導體放置在乙個磁場內，且有電流通過時，導體內的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊，繼而產生電壓（霍爾電壓）的現象。
電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。通過霍爾電壓的極性，可證實導體內部的電流是由帶有負電荷的粒子（自由電子）之運動所造成。霍爾效應中霍爾元件的靈敏度與霍爾元件的厚度和載流子的濃度兩個因素有關
擴充套件資料
由於通電導線周圍存在磁場，其大小和導線中的電流成正比，故可以利用霍爾元件測量出磁場，就可確定導線電流的大小。利用這一原理可以設計製成霍爾電流感測器。其優點是不和被測電路發生電接觸，不影響被測電路，不消耗被測電源的功率，特別適合於大電流感測。
若把霍爾元件置於電場強度為e、磁場強度為h的電磁場中，則在該元件中將產生電流i，元件上同時產生的霍爾電位差和電場強度e成正比，如果再測出該電磁場的磁場強度，則電磁場的功率密度瞬時值p可由p=eh確定。
2樓：卓興富
儀器上標的一般是（4.62 ）kgs/a
表示的是b/is的大小。
拓展介紹：
霍爾元件應用的基本原理是霍爾效應。霍爾效應是一種磁敏效應，一般在半導體薄片的長度x方向上施加磁感應強度為b的磁場，則在寬度y方向上會產生電動勢uh，這種現象即稱為霍爾效應。uh稱為霍爾電勢，其大小可表示為:
uh=rh/d*ic*b (1)
式中，rh稱為霍爾係數，由半導體材料的性質決定;d為半導體材料的厚度。
設rh/d=k,則式(1)可寫為:
uh=k*ic*b (2)
可見，霍爾電壓與控制電流及磁感應強度的乘積成正比，k稱為乘積靈敏度。k值越大，靈敏度就越高;元件厚度越小，輸出電壓也越大。
在式(2)中，若控制電流ic,為常數，磁感應強度b與被測電流成正比，就可以做成霍爾電流感測器;另外，若仍固定ic為常數，b與被測電壓成正比，又可製成霍爾電壓感測器。
3樓：匿名使用者
這種資料，要不拿裝置測。要不問廠家。
霍爾效應實驗計算霍爾係數時公式rh=vd/ib中的b用的是哪個資料
4樓：匿名使用者
b：外磁場，標準
bai單位（dusi）是：特斯拉，zhi符號：t。
uh：霍爾電壓dao，標準單位（知si）是：回伏特，符號：答v；
d：霍爾樣品沿著磁場的尺寸，標準單位（si）是：公尺，符號：m；
is：通過霍爾樣品的電流，標準單位（si）是：安培，符號：a；
霍爾效應是一種磁敏效應，一般在半導體薄片的長度x方向上施加磁感應強度為b的磁場，則在寬度y方向上會產生電動勢uh，這種現象即稱為霍爾效應。
5樓：匿名使用者
在實驗儀器的線圈上有，儀器上標的一般是（4.62 ）kgs/a表示的是b/is的大小，其中4.62是你要讀的，每台儀器不一樣
6樓：匿名使用者
環境磁感應強度與霍爾流體方向垂直的分量
霍爾效應實驗如何利用作圖法求霍爾係數
7樓：匿名使用者
大二……貝殼田園……= =
同樣研究中
8樓：
不太理解你說的作圖法什麼意思，不過霍爾係數確實與霍爾板的形狀和接觸孔的位置和形狀有關係，並且是固定的關係（在形狀確定的情況下）
9樓：易淺雪
17級貝殼田園前來報道
在霍爾效應實驗中，需用公式來計算材料的霍爾係數，試問公式中的是如何算出的？
10樓：越長大孤單
◆霍爾感測器是一種磁感測器。用它可以檢測磁場及其變化，可在各種與磁場有關的場合中使用。霍爾感測器以霍爾效應為其工作基礎，是由霍爾元件和它的附屬電路組成的整合感測器。
霍爾感測器在工業生產、交通運輸和日常生活中有著非常廣泛的應用。 ◆霍爾效應霍爾元件霍爾感測器●霍爾效應如圖1所示，在半導體薄片兩端通以控制電流i，並在薄片的垂直方向施加磁感應強度為b的勻強磁場，則在垂直於電流和磁場的方向上，將產生電勢差為uh的霍爾電壓，它們之間的關係為： 其中d為薄片的厚度，k稱為霍爾係數，它的大小與薄片的材料有關。
上述效應稱為霍爾效應，它是德國物理學家霍爾於2023年研究載流導體在磁場中受力的性質時發現的。 由於霍爾元件產生的電勢差很小，故通常將霍爾元件與放大器電路、溫度補償電路及穩壓電源電路等整合在乙個晶元上，稱之為霍爾感測器。由於霍爾器件必須使用運放，所以通常說霍爾器件的靈敏度時不是說器件本身的靈敏度，而是包含運放在內的靈敏度。
這樣，就只能對一種型號看廠家手冊才能獲知了。
什麼是霍爾效應?什麼叫霍爾電勢差?什麼叫霍爾係數?
11樓：匿名使用者
當電流垂直於
bai外磁場通du過導體時，在導體的垂直於zhi磁場和電流dao方向的兩個端麵之間會內出現電勢差，容這一現象是霍爾效應。
由霍爾效應產生的電勢差叫霍爾電勢差。
為霍爾電勢uh，其大小可表示為： uh=rh/d*ic*b 式中，rh稱為霍爾係數，它的單位是公尺的三次方每庫侖，由半導體材料的性質決定。
關於霍爾效應的霍爾係數,實驗室用的霍爾效應儀器的霍爾係數是多少
半導體上外加與電流方向垂直的磁場,會使得半導體中的電子與空回穴受到不同方向的答洛倫茲力而在不同方向上聚集,在聚集起來的電子與空穴之間會產生電場,電場力與洛倫茲力產生平衡之後,不再聚集 此時電場將會使後來的電子和空穴受到電場力的作用而平衡掉磁場對其產生的洛倫茲力,使得後來的電子和空穴能順利通過不會偏移...
霍爾電壓的公式怎麼推導,霍爾效應公式推導
答 設載流子的 抄電荷襲 量為q,定向移動的速度的平均值bai為duv,磁感應強度為b,平衡時zhi有 q v b qe 得e v b 設l為金屬片的寬度,電場dao為勻強電場,於是u e l v b l 設單位體積內的載流子數為n,則根據電流的定義有i n q v s 式中s l d,是薄片的橫截...
實驗室用高錳酸鉀製取氧氣的方法，實驗室用分解高錳酸鉀的方法製取氧氣 （1）用高錳酸鉀製取氧氣的化學方程式是2KMnO4 K2MnO4 MnO
1 藥品及其反應原理 2 實驗裝置 排水法 發生裝置 試管,酒精燈,帶有鐵夾的鐵架臺.收集裝置 導管,集氣瓶,水槽.向上排氣法 發生裝置 試管,酒精燈,帶有鐵夾的鐵架臺.收集裝置 導管,集氣瓶.a.注意事項 試管口應略向下傾斜,以防止溼存水在反應過程中倒流到管底,使試管破裂.導管不可伸入試管太長,以...