1樓：匿名使用者
解析】sram和dram都是隨機儲存器，機器掉電後，兩者的資訊都將丟失。它們的最大區別就是：dram是用電容有無電荷來表示資訊。
0和1，為防止電容漏電而導致讀取資訊出錯，需要週期性地給電容充電，即重新整理；而sram是利用觸發器的兩個穩態來表示資訊0和1，所以不需要重新整理。另外，sram的存取速度比dram更高，常用作高速緩衝儲存器cache。
2樓：海天諾
a）機器掉電後，sram的資訊可以儲存，而dram的資訊丟失。
b）機器掉電後，dram的資訊可以儲存，而sram的資訊丟失。
c）sram需要週期性地重新整理，而dram不需要。
d）dram需要週期性地重新整理，而sram不需要/
2、dram是用pn結電容儲存0/1的，由於漏電的存在，時間長了兩級板電位差會消失也就是1會變成0，所以過一段時間需要根據裡面的內容補充電荷，這叫重新整理。重新整理過程中不能讀寫。
sdram是dram的一種，增加了同步時鐘，提高了讀寫速率。從原理來說現在的ddr3也是sdram的一種。不過約定俗成的說法是sdram只包含最早的單倍速讀寫sdram
sarm儲存資料的單元是d觸發器，這種雙穩態電路的0/1狀態都是穩定的所以不需要重新整理，只要有電就能一直存下去。
3、從省電的角度來說，dram/sdram要重新整理比較費電，而省電設計的sram只要乙個紐扣電池就可以儲存數年之久。
4從儲存密度來說，dram/sdram每個bit需要乙個電晶體，而sram最少需要4個，高速sram需要6個以上，而且由於電晶體之間的互聯sram複雜得多，佔了很大的空間，所以同製程的sram容量要小的多。
5、從速度來說，dram/sdram需要重新整理和回寫，極速比不上sram。所以cpu的快取是sram，主記憶體用sdram
3樓：網友
選擇d，ram：隨機儲存器，可以隨時讀寫，斷電資料丟失。按照儲存單元的工作原理，分為sram（靜態隨機儲存器）與dram（動態隨機儲存器）；
顧名思義，sram，是不需要對儲存單元進行定期重新整理充電的，而dram就需要定期重新整理儲存單元，防止資料丟失。二者的詳細儲存結構請參考百科資料。
簡述rom、sram、dram與sdram的聯絡與區別。
4樓：網友
1、資料儲存不同。
rom只能讀出事先所存資料，通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中，並且資料不會因為電源關閉而消失。
sram不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料。
dram每隔一段時間，要重新整理充電一次，否則內部的資料即會消失。
sdram有乙個同步介面，在響應控制輸入前會等待乙個時鐘訊號，這樣就能和計算機的系統匯流排同步，時鐘被用來驅動乙個有限狀態機，對進入的指令進行管線操作。
2、特點不同。
rom所存資料穩定，斷電後所存資料也不會改變，其結構較簡單，讀出較方便，製造成本較低，常用於電腦中的開機啟動如啟動光碟。
sram的缺點是整合度較低，功耗較dram大 ，通常dram是有乙個非同步介面的，這樣它可以隨時響應控制輸入的變化。
sdram是有同步介面的動態隨機存取記憶體（dram）。
對於dram來說，週期性地充電是乙個無可避免的要件。由於這種需要定時重新整理的特性，因此被稱為「動態」儲存器。
5樓：狗熊貝爾
rom是隻讀記憶體（read-only memory）的簡稱，是一種只能讀出事先所存資料的固態半導體儲存器。其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中，資料並且不會因為電源關閉而消失。
dram（dynamic random access memory），即動態隨機存取儲存器最為常見的系統記憶體。dram 只能將資料保持很短的時間。為了保持資料，dram使用電容儲存，所以 必須隔一段時間重新整理（refresh）一次，如果儲存單元沒有被重新整理，儲存的資訊就會丟失。
關機就會丟失資料）
sram是英文static ram的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的記憶體，不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料。
sram是single-transistor dram的縮寫，中文全稱是單電晶體dram。[1]
sram不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料。而dram（dynamic random access memory)每隔一段時間，要重新整理充電一次，否則內部的資料即會消失，因此sram具有較高的效能，但是sram也有它的缺點，即它的整合度較低，相同容量的dram記憶體可以設計為較小的體積，但是sram卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主機板上sram儲存器要佔用一部分面積。
sdram:synchronous dynamic random access memory，同步動態隨機儲存器，同步是指 memory工作需要同步時鐘，內部的命令的傳送與資料的傳輸都以它為基準；動態是指儲存陣列需要不斷的重新整理來保證資料不丟失；隨機是指資料不是線性依次儲存，而是自由指定位址進行資料讀寫。
記憶體型別中sram和dram什麼區別？
6樓：太平洋科技
sram儲存元件所用和伍mos管多，佔矽片面積大，因而功耗大，整合度低；dram儲存元件所用mos管少，佔矽片面積小，因而功耗小，整合度很高悄棚腔；
sram採用乙個正負反饋觸發器電路來儲存資訊，所以只要直流供電電源一直加在電路上，就能一直保持記憶狀態不變，所以無需重新整理。dram採用電容儲存電荷來儲存資訊，會發生漏電現象，所以要使狀態保持不變，必須定時重新整理；因為讀操作會使狀態發生改變，故需讀後再生。
sram不會因為讀操作而使狀態發生改變，故無需讀後再生，特別是它的讀寫速度快，其儲存原理可看作是對帶時鐘的rs觸發器的讀寫過程。dram因為啟衫特別是它的讀寫速度相對sram元件要慢的多，其儲存原理可看作是對電容充、放電的過程。
sram**比較昂貴，因而適合做高速小容量的半導體儲存器，如cache。相比於sram、dram**較低，因而適合做慢速大容量的半導體儲存器，如主存。有三種重新整理方式：
集中、分散和非同步。
dram，sdram和sram的區別
7樓：煙雨重樓繞
三者在資料儲存、體積、特點不同：
1、資料儲存不同：
sram不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料。
而dram（dynamic random access memory)每隔一段時間，要重新整理充電一次，否則內部的資料即會消失。
sdram有乙個同步介面，在響應控制輸入前會等待乙個時鐘訊號，這樣就能和計算機的系統匯流排同步。時鐘被用來驅動乙個有限狀態機，對進入的指令進行管線(pipeline)操作。這使得sdram與沒有同步介面的非同步dram(asynchronous dram)相比，可以有乙個更復雜的操作模式。
2、體積不同：
相同容量的dram記憶體可以設計為較小的體積，但是sram卻需要很大的體積。
同樣面積的矽片可以做出更大容量的dram。
sdram的體積結構已經很優化了。
3、特點不同：
sram也有它的缺點，即它的整合度較低，功耗較dram大 ，通常dram是有乙個非同步介面的，這樣它可以隨時響應控制輸入的變化。
同步動態隨機存取記憶體（synchronous dynamic random-access memory，簡稱sdram）是有乙個同步介面的動態隨機存取記憶體（dram）。
由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象，導致電容上所儲存的電荷數量並不足以正確的判別資料，而導致資料毀損。因此對於dram來說，週期性地充電是乙個無可避免的要件。由於這種需要定時重新整理的特性，因此被稱為「動態」儲存器。
8樓：
dram，sdram和sram的區別主要包括是否需要不斷重新整理電路、體積不同：
不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料，sdram儲存陣列需要不斷的重新整理來保證資料不丟失，dram每隔一段時間，要重新整理充電一次，否則內部的資料即會消失，因此sram具有較高的效能。
的整合度較低，相同容量的dram記憶體可以設計為較小的體積，但是sram卻需要很大的體積，且功耗較大。
9樓：網友
g ram so，哈嘍，aw還amd他們的區別就是，僅僅的乙個高速公路。
10樓：焉建茗
兩側三個英語詞的意思應該是品牌的意思吧？
sram 和dram誰功耗大？？
11樓：夜雨o0星辰
sram ：靜態ram，不用重新整理，速度可以非常快，像cpu內部的cache，都是靜態ram，缺點乙個記憶體單元需要的電晶體數量多，因而**昂貴，容量不大。
dram：動態ram，需要重新整理，容量大。
具體解釋：什麼是dram
dram 的英文全稱是'dynamic ram'，翻譯成中文就是'動態隨機儲存器'。dram用於通常的資料存取。我們常說記憶體有多大，主要是指dram的容量。
什麼是 sram
sram的英文全稱是'static ram'，翻譯成中文就是'靜態隨機儲存器'。sram主要用於製造cache。
sram與dram的區別只在於乙個是靜態乙個是動態。由於sram不需要重新整理電路就能夠儲存資料，所以具有靜止存取資料的作用。而dram則需要不停地重新整理電路，否則內部的資料將會消失。
而且不停重新整理電路的功耗是很高的，在我們的pc待機時消耗的電量有很大一部分都來自於對記憶體的重新整理。
12樓：張光一
個人覺得還是從電路上來分析吧，sram的電路設計相當複雜，就算不需要重新整理也是需要持續過電，而dram的電路設計就比較簡單，而且其實dram還是比較難得出乙個平均功耗。以上都是個人看法。
sram為什麼比dram要快呢？
13樓：匿名使用者
儲存器按生產工藝分：靜態儲存器與動態儲存器。
靜態儲存器（sram）：讀寫速度快，御姿笑生產成本。
高，多用於容量較小的高速緩衝儲存器。
動態儲存器（dram）：讀寫速度較慢，整合度高，生產成本低，多用於容冊枝量較大的主儲存器。
靜態儲存器與動態儲存器主要效能比較如下表：
靜態和動態儲存器晶元特性比較。
sram dram
儲存資訊 觸發器。
電容 破壞性讀出 非 是。
需要重新整理 不要 需要。
送行列位址 同時送鎮含 分兩次送。
執行速度 快 慢。
整合度 低 高。
發熱量。大 小。
儲存成本 高 低。
動態儲存器的定期重新整理：在不進行讀寫操作時，dram 儲存器的各單元處於斷電狀態，由於漏電的存在，儲存在電容cs 上的電荷會慢慢地漏掉，為此必須定時予以補充，稱為重新整理操作。
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sram比dram更快，但也貴很多。sram用來作為快取記憶體儲存器，既可以在cpu上，回也可以不在cpu上。dram用來作為主存答以及圖形系統的幀緩衝區。乙個桌面系統的sram不會超過幾兆位元組，但是dram卻有幾百兆位元組或幾千兆位元組。sram將每個位儲存在乙個雙穩態的儲存器單元裡。每個單元是...
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